স্যামসাংয়ের ৪০০+ লেয়ার বিশিষ্ট V10 BV-NAND প্রযুক্তির উন্মোচন

bangladesh

২০২৬ সালের ৮ মাসের ৬ তারিখ, ক্যালিফোর্নিয়ার সান্তা ক্লারায় ফিউচার অব মেমোরি অ্যান্ড স্টোরেজ সম্মেলনে স্যামসাং নতুন ৪০০-এর বেশি লেয়ার বিশিষ্ট V10 BV-NAND প্রযুক্তি প্রদর্শন করেছে। স্যামসাংয়ের প্রধান জিন-ইয়ুব লি জানান, V10-এর মেমোরি ডেনসিটি V9-এর তুলনায় ৫৮ শতাংশ বৃদ্ধি পেয়েছে। এছাড়া, নতুন zHBM প্রযুক্তি HBM5-এর তুলনায় আট গুণ বেশি পারফরম্যান্স দিতে সক্ষম হবে।